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在众多软开关的方案中，比较实用的有大功率的全桥变换器，通常采用移相零电压开关的控制  

方式，这种控制方式要求在初级侧需附加一续流电感以确保开关管在零电压状态下导通，由于较大的有效值电流流过，这个附加电感将发热(尽管比RC缓冲电路小得多)，因而在低压功率变换中并不采用。  

无源无损耗缓冲电路的特点是不破坏常规PWM控制方式，设计/调试简单。尽管如此，无源无损耗缓冲电路和准谐振/零电压开关工作方式也存在一些缺点，如仅能实现关断软开关以及在反激式变换器中不太适于大负载范围变化。软开关中有源箝位是提高单管正/反激变换器效率的有效方法，最初的专利限制现在已失效，可以普遍应用。  

功率半导体器件的进步：{gx}率功率变换的根本 

功率半导体器件的进步特别是PowerMOSFET的进步引发出功率变换的一系列的进步：PowerMOSFET的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20kHz提高到100kHz以上，有效地减小了无源储能元件(电感、电容)的体积。低压PowerMOSFET使低压同步整流成为现实，器件的导通电压从肖特基二极管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V甚至更低，使低压整流器的效率至少提高了10%。高压PowerMOSFET的导通压降和开关特性的改善，提高了开关电源的初级效率。功率半导体器件的功耗的降低也使散热器和整机的体积减小。